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関連資料一覧:(本学所蔵)
著者名典拠情報
NCIDDA06195671
名称(HDNG)福田, 益美||フクタ, マスミ
注記(NOTE)富士通(株)電子デバイス事業本部化合物半導体事業部長
「GaAs電界効果トランジスタの基礎」による